Con el mismo encapsulado en los tres modelos presentados, estos amplificadores de potencia GaN operan con potencias diferentes y en bandas de frecuencia distintas.
Mouser Electronics, distribuidor global autorizado con los semiconductores y componentes electrónicos más nuevos, presenta sus nuevos amplificadores de potencia basados en la tecnología del nitruro de galio (GaN). Son, concretamente, tres modelos, los QPA2610, 11 y 12 de Qorvo, compañía especializada en componentes para soluciones de comunicaciones por radiofrecuencia.
Características en los amplificadores de potencia GaN
El QPA2610 es un amplificador de 2 vatios en la banda X que opera en un rango de frecuencias que va desde los 8,5 hasta los 10,5 GHz, con una potencia de salida (PIN = 10 dBm) superior a los 33 dBm, y un PAE (nuevamente, con PIN = 10 dBm) superior al 47%.
La ganancia de señal por la parte baja supera los 37,5 dB, con una pérdida de retorno en la entrada de más de 14 dB, y una pérdida de retorno en la salida que supera los 12 dB. Con un encapsulado de 5x5x0,85 mm, el sesgo recomendado del QPA2610 (recommended bias) es de VD = 20 V, e IDQ = 56 mA.
En el caso del QPA2611, tenemos un amplificador GaN de 5 vatios también en la banda X, que opera en un rango de frecuencias que va desde los 8 hasta los 12 GHz con una potencia de salida superior a los 38 dBm teniendo en cuenta un PIN de 12 dBm.
Su PAE (con un PIN de 12 dBm) supera el 42%, y dispone de una ganancia de señal por la banda baja de más de 35 dB. La pérdida de señal de retorno en la entrada supera los 12 dB, mientras que la pérdida de señal en la salida es de más de 15 dB.
El sesgo recomendado es de VD = 24 V, IDQ = 105 mA, y de igual forma que el modelo anterior, lo encontramos en un encapsulado de 5x5x0,85 mm.
El último de estos nuevos amplificadores de potencia GaN es el QPA2612, que también opera en la banda X con una potencia de 12 vatios.
Como en el caso del anterior modelo, trabaja en un rango de frecuencias que se mueve entre los 8 y los 12 GHz, con una potencia de salida que supera los 41 dBm teniendo en cuenta un PIN de 18 dBm.
Presenta un PAE de más del 40%, igualmente con un PIN de 18 dBm, y una ganancia de señal por la banda baja de más de 34 dB. La pérdida de retorno en la entrada supera los 16 dB, mientras que en la salida supera los 4 dB.
Finalmente, se presenta en un encapsulado idéntico en medidas a los modelos anteriores (5x5x0,85 mm), con un sesgo recomendado de VD = 24 V e IDQ = 250 mA.
