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Amplificador de potencia GaN-on-Si de 10 W

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El módulo amplificador de potencia GaN-on-Si de 10 W MAMG-100227-010C0L ofrece flexibilidad de diseño en comunicaciones tácticas de banda ancha.

Mouser Electronics, el distribuidor líder de introducción de nuevos productos (NPI) con la más amplia selección de semiconductores y componentes electrónicos, anuncia la disponibilidad en stock del módulo amplificador de potencia MAMG-100227-010C0L de MACOM Technology, que ofrece flexibilidad de diseño a un gran número de aplicaciones de radio y comunicaciones, incluyendo comunicaciones tácticas militares y contramedidas electrónicas, comunicaciones inalámbricas de seguridad pública y sistemas de radio móvil terrestre.

Este amplificador es un módulo amplificador de potencia de 10 W que se basa en la tecnología de nitruro de galio en silicio (nitride-on-siliconGaN-on-Si).

Operando en el rango de 225 a 2600 MHz, este módulo compartido ofrece hasta un 40 por ciento de eficiencia de potencia añadida (PAE) y 22 dB de ganancia.

Amplificador de potencia GaN-on-Si de 10 W

Entre otras características, el nuevo modelo soporta una operación de hasta 36 V (típica de 28 V) en un rango de temperatura operativa de -40 a +85 °C. Con una capacidad de configuración de montaje en la parte superior o inferior y un encapsulado de 14 x 18 mm, respalda diseños de radio con estrictos requisitos SWaP.

Además, el amplificador de potencia GaN-on-Si de 10 W integra un disipador de calor de cobre chapado en oro y una cavidad de aire laminada, eliminando así la necesidad del espacio de PCB asociado con módulos PA no compartidos.

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