El RIC70115 es un driver GaN HEMT endurecido frente a radiación para arquitecturas de conversión de potencia en satélites y sistemas espaciales de alta fiabilidad.
El nuevo RIC70115 de Infineon Technologies es un driver para transistor de nitruro de galio (GaN) de alta movilidad electrónica (HEMT) orientado a conversión de potencia en satélites y plataformas espaciales de alta fiabilidad.
Dentro del diseño electrónico para aplicaciones espaciales, el dispositivo permite trabajar con transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de silicio (Si) y con soluciones GaN en configuraciones de lado bajo y lado alto.
Además, su arquitectura facilita la transición desde etapas de potencia basadas en silicio hacia diseños GaN sin perder control sobre las condiciones de polarización del sistema.
La demanda de componentes rugerizados frente a radiación aumenta en paralelo al despliegue de constelaciones de satélites, por ello el RIC70115 se dirige a fuentes, convertidores y buses de potencia sometidos a ciclos de conmutación exigentes.
RIC70115 con Miller Clamp independiente para conmutación segura
Una función Miller Clamp independiente evita el encendido parásito inducido y mantiene la velocidad de conmutación requerida en diseños de potencia de alta eficiencia.
En consecuencia, el circuito contribuye a reducir pérdidas de conmutación y mejora el margen operativo en etapas donde la integridad de la señal de puerta resulta crítica.
Por otro lado, la etapa lógica de entrada verdaderamente diferencial (TDI) incrementa la inmunidad frente al ruido al rechazar perturbaciones de modo común.
Esta capacidad resulta relevante en un bus de potencia de satélite, donde la interferencia electromagnética (EMI) y la interferencia de radiofrecuencia (RFI) pueden afectar a la estabilidad del control electrónico.
Integración electrónica para fuentes espaciales de alta fiabilidad
El RIC70115 integra un regulador de baja caída (LDO) que genera una tensión de excitación regulada de 4,8 V a partir de una fuente de 5 V o 12 V.
Asimismo, el rango de entrada de alimentación de 4,75 V a 15 V reduce la necesidad de regulación externa y simplifica la lista de materiales en placas de potencia.
En concreto, la integración de estas funciones ayuda a disminuir el número de componentes externos, lo que favorece la fiabilidad del circuito en electrónica embarcada para misiones de larga duración.
La compatibilidad con arquitecturas Si y GaN ofrece flexibilidad a los diseñadores que deben validar convertidores compactos, eficientes y preparados para monitorización de parámetros eléctricos en plataformas orbitales.
Endurecimiento a radiación y cualificación MIL-PRF-38535
El componente cumple los requisitos de MIL-PRF-38535 y opera en un rango de temperatura extendido de -55 °C a 125 °C.
Además, alcanza una dosis ionizante total (TID) de hasta 100 krad (Si), un parámetro clave para evaluar la degradación acumulada en entornos espaciales.
También ha sido caracterizado frente a efectos de evento único (SEE) hasta una transferencia lineal de energía (LET) de 81,9 MeV·cm²/mg.
Estos márgenes permiten abordar diseños destinados a órbita baja terrestre y a misiones más allá, siempre dentro de los criterios de cualificación definidos por cada integrador espacial.
Junto al driver, la placa de evaluación RIC70115EVAL1 permite analizar el comportamiento del circuito durante la validación de topologías de potencia basadas en GaN.
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