IC de protección NB7130 para baterías Li-ion de 1 celda integra detección precisa de tensión, sobrecorriente, cortocircuito y temperatura para equipos compactos alimentados por batería.
El nuevo NB7130 de Nisshinbo Micro Devices es un IC de protección para baterías de ion-litio de una celda orientado a aplicaciones compactas que emplean MOSFET, transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor, en configuración low-side.
El dispositivo se dirige a diseños con fuertes restricciones de tamaño, como audífonos, dispositivos wearables, smartphones y terminales portátiles de captura de datos.
La solución incorpora funciones de seguridad para sobrecarga, sobredescarga, sobrecorriente de carga y descarga, cortocircuito y supervisión térmica de la celda.
El encapsulado WLCSP-8-ZA1, wafer level chip scale package, facilita la integración en placas de circuito impreso de dimensiones reducidas.
Protección avanzada de batería con NB7130
El NB7130 ofrece detección de sobretensión OVP, over voltage protection, y subtensión UVP, under voltage protection, con rangos seleccionables para ajustar el umbral de trabajo de la batería.
Mientras, la tensión de detección de sobrecarga VDET1 cubre de 4,2 a 4,8 V con una precisión de ±6,5 mV.
La tensión de detección de sobredescarga VDET2 se sitúa entre 2,0 y 3,2 V con una precisión de ±17 mV.
Estos valores permiten aproximar la operación al umbral de detección y contribuyen a optimizar el aprovechamiento de la capacidad disponible.
La detección de sobrecorriente OCP, over current protection, emplea una baja tensión de sensado para mejorar la precisión y reducir la disipación asociada a la resistencia Rsens.
La detección de sobrecorriente de descarga VDET3 cubre de 0,0060 a 0,0500 V con ±0,75 mV.
La detección de sobrecorriente de carga VDET4 trabaja entre –0,0060 y –0,0500 V con la misma precisión de ±0,75 mV.
Supervisión térmica y carga desde 0 V
El circuito integra una entrada TIN para conectar un sensor térmico y realizar la monitorización de la temperatura de la celda.
La detección de sobretemperatura TDET se puede configurar entre 40 y 85 °C con una precisión de ±2,0 °C.
La función de inhibición de carga desde 0 V ayuda a evitar condiciones de riesgo en baterías profundamente descargadas.
El umbral VNOCHG para inhibición de carga se configura entre 1,200 y 2,000 V con una precisión de ±20,0 mV.
El dispositivo también permite seleccionar el tipo de liberación en sobredescarga mediante enclavamiento o enclavamiento con histéresis.
La liberación por sobrecorriente de descarga admite modo automático o enclavado según los requisitos de seguridad del diseño.
Consumo reducido para equipos portátiles
En principio, el consumo en modo normal es de 3,00 μA típico y 6,00 μA máximo.
La entrada STB incorpora una función de standby forzado que reduce el consumo máximo hasta 0,04 μA.
El retorno al modo normal se realiza mediante el pin VM, lo que permite limitar una descarga adicional durante periodos de inactividad.
Finalmente, para conocer más propuestas relacionadas, puedes consultar nuestro monográfico Especial Fuentes de alimentación, donde recopilamos diferentes alternativas disponibles.
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