Los diodos rectificadores NT9000 para transferencia inalámbrica integran dos diodos en encapsulado DFN1212-4-HD y combinan baja tensión directa, alta tensión soportada en continua y funcionamiento en 920 MHz, 2,4 GHz y 5,7 GHz.
El nuevo NT9000 de Nisshinbo Micro Devices inaugura una serie de diodos rectificadores dobles para sistemas WPT, siglas de Wireless Power Transfer o transferencia inalámbrica de energía, orientados a mejorar la conversión de RF a continua en receptores de microondas.
Rectificación de microondas con la serie NT9000
La nueva familia también incluye los modelos NT9001, NT9002 y NT9003 para cubrir distintos rangos de potencia en circuitos rectificadores.
La serie emplea tecnología propietaria de oblea GaAs, arseniuro de galio, para ofrecer una rectificación eficiente en un amplio margen dinámico.
Uno de los parámetros más destacados es una tensión directa típica de 0,1 V, que favorece la conversión en aplicaciones con potencia de entrada limitada.
Además, los dispositivos aportan 20 V de tensión inversa para mantener la estabilidad cuando aumenta la potencia recibida.
Esa combinación contribuye a reducir el riesgo de ruptura del componente y a limitar la corriente de fuga durante la rectificación.
Los NT9000 y NT9001 se orientan a circuitos rectificadores de clase 1 W.
Por su parte, los NT9002 y NT9003 se han diseñado para circuitos rectificadores de clase 1 mW.
Bandas de frecuencia y encapsulado en NT9000, NT9001, NT9002 y NT9003
Todos los modelos funcionan en las bandas de 920 MHz, 2,4 GHz y 5,7 GHz, habituales en transferencia inalámbrica de energía.
La serie añade baja corriente de fuga inversa y baja capacitancia total para sostener un rendimiento estable en rectificación de alta frecuencia.
En el NT9000, la corriente de fuga inversa es de 10 µA a 2 V, la resistencia serie típica alcanza 4 Ω y la capacitancia total típica es de 0,2 pF.
En el NT9001, esos valores se sitúan en 20 µA, 2 Ω y 0,4 pF, respectivamente.
Para el NT9002, Nisshinbo Micro Devices indica 0,5 µA de fuga inversa, 110 Ω de resistencia serie y 0,025 pF de capacitancia total.
En el NT9003, las cifras correspondientes son 1 µA, 55 Ω y 0,03 pF.
Los cuatro componentes se presentan en un encapsulado DFN1212-4-HD de 1,2 × 1,2 mm con dos diodos integrados.
Ese formato compacto reduce el área ocupada en PCB y simplifica topologías como rectificadores multietapa o configuraciones en puente.
La serie también puede emplearse en otros circuitos de RF, radiofrecuencia, que requieran rectificación o detección eficiente a frecuencias de microondas.
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