La colaboración en encapsulados SiC ROHM e Infineon busca estandarizar plataformas de refrigeración superior y adoptar el paquete DOT-247, con el objetivo de aumentar la densidad de potencia y la flexibilidad de diseño en aplicaciones de alta exigencia.
El nuevo acuerdo de entendimiento entre el modelo de encapsulados de silicio de carburo establece una alianza estratégica entre ROHM e Infineon para mejorar la flexibilidad en el suministro de dispositivos de potencia en sectores como cargadores a bordo, fotovoltaica, sistemas de almacenamiento de energía y centros de datos de inteligencia artificial.
La colaboración permitirá a los clientes obtener dispositivos con encapsulados compatibles de ambos fabricantes, lo que facilitará la intercambiabilidad y reducirá la dependencia de un único proveedor.
Esta estrategia asegura continuidad en los diseños, mayor seguridad en la cadena de suministro y opciones adicionales en la gestión de proyectos de potencia.
Plataforma de refrigeración superior y encapsulados estandarizados
Dentro del acuerdo, ROHM adoptará la plataforma de refrigeración superior de Infineon, que incluye encapsulados TOLT, D-DPAK, Q-DPAK, Q-DPAK dual y H-DPAK.
Todos ellos comparten una altura estandarizada de 2,3 mm, lo que simplifica la integración en sistemas, reduce los costes asociados a la refrigeración y optimiza la utilización del espacio en placa.
Gracias a esta plataforma, los diseños pueden alcanzar hasta el doble de densidad de potencia, manteniendo una mayor eficiencia térmica y facilitando la implementación en aplicaciones con restricciones de espacio.
Adopción del paquete DOT-247 y beneficios asociados
De manera complementaria, Infineon incorporará el paquete DOT-247 de ROHM en configuración half-bridge para desarrollar versiones compatibles.
Este formato amplía la familia Double TO-247 de IGBT hacia soluciones en SiC, reforzando la versatilidad de la oferta.
El encapsulado DOT-247 se caracteriza por integrar dos TO-247 en una sola estructura, lo que reduce en un 15 % la resistencia térmica y en un 50 % la inductancia respecto al TO-247 estándar.
Además, ofrece hasta 2,3 veces mayor densidad de potencia, lo que disminuye esfuerzos de ensamblaje y facilita sistemas más compactos y eficientes.
Con estas iniciativas, ambas compañías pretenden extender la cooperación a futuros encapsulados basados tanto en silicio como en tecnologías de banda prohibida ancha, como el carburo de silicio y el nitruro de galio, para cubrir un mayor rango de aplicaciones.
Los semiconductores de SiC ya han demostrado mejoras en fiabilidad, eficiencia y robustez en condiciones extremas, contribuyendo al desarrollo de soluciones de mayor densidad y rendimiento en sistemas de energía de última generación.
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