El controlador de puerta aislado BM6GD11BFJ-LB ofrece alta inmunidad CMTI de 150 V/ns y funcionamiento a 2 MHz, optimizando el uso de dispositivos GaN de alto voltaje en aplicaciones de alta frecuencia y eficiencia.
ROHM ha presentado el circuito integrado controlador de puerta aislado BM6GD11BFJ-LB, especialmente diseñado para dispositivos GaN de alto voltaje, en particular para HEMT HV-GaN.
Este componente permite un funcionamiento estable en entornos de alta frecuencia con conmutación rápida, beneficiando a aplicaciones exigentes como motores y fuentes de alimentación para servidores.
Con la creciente necesidad de eficiencia energética debido al aumento del consumo global de electricidad, se estima que los motores y las fuentes de alimentación representan el 97 % del total.
En este contexto, la adopción de materiales de banda prohibida ancha como el GaN y el SiC se ha vuelto esencial para mejorar el rendimiento de los sistemas electrónicos de potencia.
Alta frecuencia y eficiencia energética
El nuevo CI aprovecha la experiencia acumulada de la compañía en controladores de puerta aislados para silicio y SiC, siendo este modelo el primero de una futura serie dirigida a dispositivos GaN.
Su arquitectura se basa en una tecnología de aislamiento en chip que reduce significativamente la capacitancia parásita, permitiendo una operación a frecuencias de hasta 2 MHz.
Esta capacidad de conmutación a alta velocidad permite maximizar la eficiencia energética y el rendimiento general de los sistemas, al tiempo que se reduce el área de montaje gracias a una menor dependencia de componentes periféricos.
Alta inmunidad al ruido y pulsos estrechos
El valor de inmunidad a transitorios en modo común (CMTI) alcanza los 150 V/ns, superando en un 50 % a los modelos anteriores y asegurando resistencia frente a altos slew rate en circuitos GaN.
Además, la anchura mínima de pulso de 65 ns representa una mejora del 33 %, garantizando mayor precisión en la conmutación.
El rango de tensión de accionamiento de puerta se sitúa entre 4,5 V y 6,0 V, con una tensión de aislamiento de 2500 Vrms, proporcionando compatibilidad con una amplia variedad de dispositivos GaN, incluyendo el HEMT EcoGaN de 650 V del propio fabricante.
A esto se suma un consumo de corriente en el lado de salida de tan solo 0,5 mA (máx.), lo que ayuda a reducir el consumo en espera y a mejorar la eficiencia general del sistema.
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Sin embargo, para otro tipo de información, visita a sus distribuidores internacionales Digikey o Mouser Electronics.
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