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MOSFET de carburo de silicio de 1200 V en encapsulado D2PAK-7

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Los nuevos MOSFET de carburo de silicio de 1200 V en encapsulado D2PAK-7 ofrecen estabilidad térmica líder y montaje SMD con certificación AEC-Q101.

Nexperia ha presentado una nueva serie de MOSFET de carburo de silicio (SiC) con certificación AEC-Q101 y valores de RDS(on) de 30, 40 y 60 mΩ, diseñados específicamente para aplicaciones del sector de la automoción.

Estos dispositivos, que incluyen los modelos NSF030120D7A0-Q, NSF040120D7A1-Q y NSF060120D7A0-Q, se ofrecían anteriormente en versiones industriales y ahora amplían su disponibilidad al mercado automovilístico, haciéndolos adecuados para cargadores a bordo (OBC), inversores de tracción en vehículos eléctricos, convertidores CC-CC y sistemas HVAC.

Encapsulado SMD para montaje automatizado

Los nuevos dispositivos se alojan en encapsulados D2PAK-7 de montaje superficial, lo que facilita su integración en procesos de montaje automatizado, superando en eficiencia a los dispositivos tradicionales de orificio pasante.

Este formato, cada vez más utilizado, permite además mejorar la disipación térmica a través de la placa de circuito impreso, un aspecto clave para mantener el rendimiento de los componentes electrónicos en condiciones de elevada temperatura.

Estabilidad térmica mejorada para alta potencia

Uno de los aspectos críticos en los MOSFET de SiC es el comportamiento del RDS(on) a diferentes temperaturas. Mientras otros dispositivos pueden llegar a duplicar su resistencia en conducción al aumentar la temperatura, los nuevos modelos de Nexperia presentan un incremento de tan solo un 38 % entre 25 °C y 175 °C.

Esta característica permite trabajar con valores nominales más altos de RDS(on) a temperatura ambiente sin comprometer la eficiencia, habilitando aplicaciones de mayor potencia de salida con menores exigencias de refrigeración y componentes pasivos más compactos.

Gracias a esta eficiencia térmica, los diseñadores pueden beneficiarse de una reducción en el coste total de propiedad y una mayor libertad en la arquitectura de sus sistemas, especialmente en proyectos de automoción de nueva generación.

MOSFET de carburo de silicio de 1200 V en encapsulado D2PAK-7

Además, Nexperia ha adelantado que durante 2025 lanzará versiones con certificación para automoción con valores de RDS(on) de 17 mΩ y 80 mΩ, ampliando aún más las posibilidades de diseño en este segmento.

Si te interesan este tipo de productos, en nuestro monográfico Especial Fuentes de alimentación puedes encontrar información con todas las posibilidades actuales en el mercado.

Para más información o precios sobre el nuevo MOSFET de carburo de silicio de 1200 V en encapsulado D2PAK-7, puedes dejarnos un sencillo COMENTARIO. O también puedes utilizar nuestro SERVICIO AL LECTOR gratuito, que te pondrá en contacto con el fabricante o distribuidor de este producto.

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OLFER

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