Los nuevos MOSFET y diodos de barrera Schottky con elevada tensión breakdown y baja pérdida son semiconductores de potencia GaN verticales para elevada corriente.
Los semiconductores de potencia GaN se suelen usar en convertidores como fuentes de alimentación y adaptadores de dispositivos electrónicos. Sin embargo, resulta difícil beneficiarse de alta tensión breakdown y baja pérdida (de conducción y conmutación) con alternativas de silicio convencional.
Los productos de Toyoda Gosei usa GaN con propiedades de elevado voltaje breakdown y baja pérdida y emplea una estructura de dispositivo vertical en la que la corriente eléctrica fluye verticalmente desde o hasta un sustrato.
Estas características permiten a un chip transistor de potencia GaN operar con una corriente de más de 50 A, la mayor hasta la fecha para transistores GaN verticales, y rendir con elevada frecuencia (varios megahercios).
Futuro para los semiconductores de potencia GaN
Toyoda Gosei tiene previsto seguir desarrollando semiconductores de potencia con mejoras en fiabilidad y colaborar con otros fabricantes de componentes electrónicos.
La compañía está demostrando sus nuevos transistores de potencia GaN verticales (MOSFET) y diodos de barrera Schottky, así como el primer convertidor DC-DC GaN vertical, en su estand de la Techno-Frontier 2018 Advanced Electronic & Mechatronic Devices & Components Exhibition (Chiba – Japón).