Los nuevos módulos SiC alta densidad Gen3 S3 destacan por su elevada capacidad de corriente y una resistencia térmica muy reducida, ofreciendo mejoras de eficiencia en aplicaciones de conversión de potencia exigentes.
El nuevo Gen3 S3 de SemiQ se presenta como una familia de módulos de carburo de silicio diseñada para sistemas de potencia industriales y soluciones de movilidad eléctrica que requieren una elevada densidad de corriente y una disipación térmica optimizada.
La gama incluye configuraciones half-bridge, six-pack y full-bridge destinadas a cubrir arquitecturas de potencia avanzadas en cargadores para vehículos eléctricos, sistemas de almacenamiento energético e instalaciones de control de motores.
Los módulos half-bridge alcanzan corrientes de hasta 608 A y presentan una resistencia térmica de 0,07 ºC/W, lo que garantiza un flujo térmico eficiente en el encapsulado estándar de 62 mm.
La resistencia de conducción se sitúa en 2,4 mΩ para este formato, permitiendo reducir las pérdidas en aplicaciones de conversión continua sometidas a ciclos de trabajo elevados.
Eficiencia energética y reducción de pérdidas en conversión
Los módulos six-pack integran una etapa trifásica con valores de RDSon comprendidos entre 19,5 mΩ y 82 mΩ para optimizar el trazado interno del encapsulado y disminuir la inductancia parásita en accionamientos de motor y convertidores AC-DC de alta demanda.
La integración en un único encapsulado favorece diseños más compactos y reduce la complejidad del sistema al eliminar interconexiones externas que añaden pérdidas y dificultan la gestión térmica.
Los módulos full-bridge alcanzan corrientes de hasta 120 A con una resistencia mínima de 8,6 mΩ, proporcionando una elevada densidad de potencia para inversores monofásicos y convertidores DC-DC de alta tensión.
Gen3 S3 y comportamiento eléctrico optimizado
La familia Gen3 S3 opera con tensiones de puerta de 18 V/-4,5 V, lo que permite reducir las pérdidas de conmutación en comparación con generaciones anteriores gracias a un diseño optimizado del semiconductor.
El fabricante indica una disminución de hasta el 30 % tanto en el RONsp como en la energía de desconexión EOFF, aportando mejoras directas en eficiencia y estabilidad térmica.
Todos los dispositivos se someten a pruebas de verificación del óxido de puerta mediante ensayos de burn-in a nivel de oblea y validación de tensión de ruptura por encima de 1350 V para garantizar la fiabilidad en funcionamiento continuo.
La combinación de una resistencia térmica reducida, una elevada capacidad de corriente y pérdidas de conmutación inferiores facilita la implementación de topologías de potencia de nueva generación con mayores márgenes de eficiencia.
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