Estos nuevos módulos para aplicaciones de conmutación se caracterizan por una topología de puente-H (H-bridge) con MOSFET y condensadores integrados en un encapsulado rugerizado para adecuarse a tareas de conmutación (soft-switching y hard-switching).
El modelo fastPACK 0 MOS está promediado para 650 V / 80 mΩ, mientras que el fastPACK 1 MOS resulta ideal para 40 – 20 mΩ. Ambas versiones se presentan con diodos ZVS que contribuyen a mejorar la eficiencia. También ayudan a limitar los fallos de tensión durante la conmutación y, por ende, incrementan la fiabilidad y reducen la interferencia electromagnética (EMI).
Formatos en los nuevos módulos H-bridge
Un módulo está encapsulado en una cubierta flow 0 de 35 x 37 mm y el otro lo está en un flow 1 de 36 x 82 mm. En los dos casos, disminuyen los tiempos de retardo y los esfuerzos de diseño.
