Con estos nuevos circuitos integrados de driver de puerta 2EDN, Infineon amplía su actual familia EiceDRIVER con una solución de enlace entre IC de control y MOSFET (como CoolMOS C7), y dispositivos de conmutación GaN.
Las unidades 2EDN MOSFET driver IC permiten mejoras en eficiencias a nivel de sistema, densidad de potencia y robustez.
Los driver de puerta para MOSFET 2EDN EiceDRIVER se presentan en encapsulados de 8 pines y cuentan con dos canales independientes low-side no aislados, cada uno de ellos con capacidad de ofrecer una fuente de 5 A y disipar picos de corriente. Ambos canales operan con tiempos de subida y caída de 5 ns, mientras que el retardo de canal a canal es de 1 ns con el objetivo de permitir conmutación simultánea para doblar la corriente total.
A pesar de esta elevada corriente, las fases de salida proporcionan una baja R DS(ON), minimizando así la disipación de potencia en el IC, incluso si se usa una resistencia de puerta externa.
La robustez ante ground bounce ayuda a incrementar la fiabilidad de sistema y aporta una capacidad de gestión de hasta -10 VDC.
Disponibilidad del nuevo driver de puerta para MOSFET
La producción en volumen del 2EDN7524 MOSFET driver ha comenzado con el encapsulado DSO con Under Voltage Lock Out (UVLO) de 4 V. Una versión UVLO con 8 V y un encapsulado TSSOP de 4 y 8 V estarán disponibles en enero de 2016. Las versiones en encapsulado WSON con UVLO de 4 y 8 V llegarán en marzo de 2016.