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Descarga electrostática ESD: asesoramiento de los expertos

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Estándar IEC de características de calidad

El estándar de inmunidad para la descarga electrónica queda definido por la Comisión Electrotécnica Internacional (International Electrotechnical Commission – IEC) en la Norma 61000-4-2 y se aplica a los componentes en electrónica de consumo.

Mediante una protección ESD externa, que se suma a las medidas On-Chip HBM (Human Body Model) integradas, hay que comprobar los puntos de entrada de los circuitos integrados (CI). El estándar describe la inmunidad de unos 15 kV para la transmisión en el aire y de ±8 kV para el contacto directo.

Los Vishay SMF-Diodes ofrecen una estabilidad ESD de ±30 kV (transmisión por el aire y por contacto) y, por lo tanto, una protección muy fiable ante las descargas no deseadas.

La forma de onda de 8 kV denominada EC61000-4-2 posee dos características: la primera, el pico de tensión tiene un tiempo de subida muy corto de 1 ns, pero un elevado valor de corriente. Por consiguiente, resulta necesario un diodo de protección ESD con rapidez de reacción. Además, siempre se produce una segunda subida con un flujo de corriente muy enérgico de hasta 18 A.

Cinco consejos en la distribución y el diseño para proteger ante ESD

  1. Sitúe el diodo de protección lo más cerca posible del punto de entrada de la sobretensión: Normalmente, se trata de la interfaz de usuario o una conexión de tarjeta a tarjeta (BTB). El camino de la corriente que atraviesa el diodo de protección necesita ser lo más corto posible para minimizar cualquier incidencia o resistencia parásita. Esto también evita el acoplamiento del pulso ESD en las líneas de conductor próximas.
  2. Canalice la corriente de sobretensión a través de la protección ESD: La inductividad creciente y la mayor resistencia en el camino hacia el Chip ayudan a reducir la energía de impacto y – la tensión en el componente a proteger.
  3. Distribuya los componentes sensibles lo más lejos posible de la entrada y del diodo: esto permite que parte de la resistencia parásita reduzca el pico de tensión del pulso ESD y, por lo tanto, proporcione protección adicional.
  4. Cuantos menos bucles de circuito, mejor: Esto se debe a que la fuerza de la tensión inducida es proporcional al tamaño del bucle de circuito. La electricidad inducida en un bucle de circuito rodea un flujo magnético cambiante. Si esto es consecuencia de una descarga electrostática, el repentino crecimiento de intensidad de la corriente o la tensión inducida puede causar serios daños.
  5. La calidad vale la pena: El mercado para los diodos de protección presenta muchos modelos con diferentes niveles de precio. Sin embargo, como sucede con todas las medidas de protección, la calidad debe ser el aspecto más importante al elegir los diodos adecuados.
Reza Maghdounieh, Senior Product Manager for Standard Products de Rutronik.
Reza Maghdounieh, Senior Product Manager for Standard Products de Rutronik.

Como dice el refrán “if you buy cheaply, you pay dearlysi se compra barato, se paga caro”.

Por ende, no se arriesgue a sufrir daños con graves consecuencias y cuantiosas pérdidas económicas.

La resistencia a la sobretensión, la fiabilidad a temperaturas elevadas y los diseños que ahorran espacio son parámetros esenciales a la hora de seleccionar el diodo TVS correcto.

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