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    **MOSFETs de alto rendimiento con nueva tecnología de Renesas** *Renesas Electronics lanza nuevos MOSFETs N-Channel de 100 V con una reducción significativa en resistencia de conducción, carga de puerta-drain y tamaño del encapsulado, diseñados para aplicaciones exigentes como control de motores y gestión de baterías.* **Rendimiento optimizado para múltiples aplicaciones** **Renesas Electronics**, proveedor destacado de soluciones avanzadas de semiconductores, ha introducido MOSFETs N-Channel de alta potencia que ofrecen un rendimiento líder en el sector para aplicaciones de conmutación de alta corriente. Estos dispositivos están diseñados para entornos exigentes como control de motores, sistemas de gestión de baterías, herramientas eléctricas, centros de datos y fuentes de alimentación ininterrumpidas (UPS). Entre los productos finales compatibles se incluyen vehículos eléctricos, bicicletas eléctricas y estaciones de carga. La nueva tecnología de fabricación de obleas **REXFET-1** desarrollada por Renesas permite a los nuevos dispositivos reducir la resistencia de conducción en un **30 %**, minimizando así la pérdida de energía en los diseños. Además, dicha tecnología mejora las características de carga eléctrica, logrando una disminución del **10 %** en la carga de puerta total (**Qg**) y un notable **40 %** en la carga puerta-drain (**Qgd**) durante la fase de "Miller Plateau". Estas mejoras optimizan la eficiencia energética en las aplicaciones más complejas. **Encapsulados compactos y versátiles** Los nuevos MOSFETs, identificados como **RBA300N10EANS** y **RBA300N10EHPF**, están disponibles en encapsulados **TOLL** y **TOLG**, que no solo son compatibles en pines con dispositivos de otros fabricantes, sino que también reducen el tamaño en un **50 %** respecto a los tradicionales encapsulados **TO-263**. Además, el encapsulado TOLL incorpora flancos mojables que facilitan la inspección óptica durante el ensamblaje, garantizando una mayor fiabilidad. Estos avances consolidan a Renesas como líder en el mercado de MOSFETs, combinando soluciones técnicas superiores con una capacidad de producción escalable en múltiples instalaciones de alto volumen, asegurando así el suministro continuo para sus clientes. *Para más información o precios sobre los nuevos **MOSFETs RBA300N10EANS y RBA300N10EHPF**, puedes dejarnos un sencillo **COMENTARIO**. Nosotros se lo haremos llegar al fabricante o distribuidor del producto para que te responda rápidamente.* *Cursivas y etiquetas*: #MOSFET, #NChannel, #Renesas, #REXFET1, #RBA300N10EANS, #RBA300N10EHPF, #TOLL, #TOLG

    MOSFETs de alto rendimiento con nueva tecnología

    Alvaro Llorente - 0
    Controlador táctil MTCH2120

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    Irene Oñate - 0
    Conmutadores SPDT de alto aislamiento NT1821 y NT1822 para Wi-Fi 7

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    Maria Camara - 0
    MOSFET de potencia en encapsulado CCPAK1212 con clip de cobre

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    Irene Oñate - 0
    Receptores RS-485 MxL834xx para entornos industriales adversos

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    Irene Oñate - 0
    Circuitos lógicos niniaturizados MicroPak XSON5

    Circuitos lógicos miniaturizados MicroPak XSON5

    Alvaro Llorente - 0
    MOSFET de 40 V SiJK140E en encapsulado PowerPAK 10x12

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    José Monsalve - 0
    Tiristores en encapsulados compactos

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    Alvaro Llorente - 0
    Reguladores conmutados no aislados MSR7810BW

    Reguladores conmutados no aislados MSR7810BW

    Alvaro Llorente - 0
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