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IGBT de 650 V RGAxxTS65HR con bajas pérdidas

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El RGAxxTS65HR es un IGBT de 650 V para conmutación de potencia con baja tensión de saturación, tolerancia al cortocircuito y cualificación AEC-Q101.

Los nuevos RGAxxTS65HR / RGAxxTS65EHR de ROHM son IGBT de 650 V, es decir, transistores bipolares de puerta aislada, desarrollados para compresores eléctricos, calentadores de alta tensión en automoción e inversores empleados en equipos industriales.

Con esta cuarta generación, la compañía reduce las pérdidas por conducción mediante una tensión colector-emisor en saturación VCE(sat) de 1,55 V, un parámetro crítico cuando el diseñador necesita limitar la disipación térmica en etapas de potencia compactas.

Además, la familia cumple la norma AEC-Q101 del Automotive Electronics Council, por lo que se orienta a aplicaciones de automoción que requieren validación de fiabilidad en componentes discretos de potencia.

Arquitectura de potencia del RGAxxTS65HR para inversores

La nueva estructura del dispositivo revisa el proceso interno y la terminación de bordes para aumentar la densidad de corriente sin penalizar el comportamiento frente a eventos de sobrecorriente.

En concreto, el diseño busca equilibrar las pérdidas por conducción y conmutación con un tiempo de resistencia al cortocircuito de 7 µs a Tj = 25 °C, donde Tj hace referencia a la temperatura de unión.

Por ello, los dispositivos resultan adecuados para circuitos de inversor y calentador que necesitan mantener un margen temporal suficiente para detectar y cortar la corriente durante una condición de fallo.

Frente a soluciones de mayor potencia basadas en SiC, carburo de silicio, estos IGBT de silicio cubren sistemas auxiliares de menor potencia donde la eficiencia, el tamaño y la robustez siguen siendo factores determinantes.

Encapsulados TO-247N y obleas para diseño electrónico

La gama inicial incluye 12 referencias en encapsulado TO-247N dentro de las series RGAxxTS65HR y RGAxxTS65EHR, junto con 10 productos en oblea sin encapsular pertenecientes a la serie SG83xxWN.

Asimismo, el fabricante desarrolla otras 12 referencias en encapsulado TO-247-4L, agrupadas en las series RGAxxTR65HR y RGAxxTR65EHR, para ampliar las opciones de integración en placas de circuito impreso y módulos de potencia.

IGBT de 650 V RGAxxTS65HR con bajas pérdidas

La disponibilidad de versiones en oblea permite, por otro lado, su uso en diseños personalizados donde el ensamblaje, la gestión térmica y la geometría del módulo dependen de requisitos específicos del convertidor.

Los modelos y materiales de soporte para diseño de circuitos están disponibles para facilitar la evaluación eléctrica, la simulación y la selección del componente dentro de una etapa de conmutación.

Semiconductores de potencia para sistemas auxiliares

A medida que los vehículos eléctricos adoptan arquitecturas de mayor tensión, los sistemas auxiliares como compresores y calentadores requieren dispositivos capaces de combinar eficiencia energética con respuesta fiable ante fallos eléctricos.

En consecuencia, la reducción de pérdidas contribuye a disminuir la carga térmica del sistema, mientras que la tolerancia al cortocircuito facilita el diseño de protecciones electrónicas más seguras.

También en motores, compresores y equipos industriales, estos IGBT pueden integrarse en convertidores donde la conmutación repetitiva exige estabilidad eléctrica y disipación controlada.

Para explorar más opciones similares, accede a nuestra categoría Semiconductores.

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