Los módulos FET ORing i1R de alta eficiencia ofrecen hasta un 99,5 por ciento de rendimiento, apagado rápido de 500 ns y formato compacto para sistemas de alimentación redundante.
El nuevo i1R de TDK-Lambda es un módulo FET ORing para redundancia de fuente de alimentación y funcionamiento en paralelo que trabaja a 60 y 80 A con una tensión de entrada máxima de 60 Vdc.
Arquitectura MOSFET y protección ante corriente inversa en i1R
La serie utiliza circuitería basada en MOSFET, transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico, para mejorar el rendimiento frente a diodos tradicionales.
Su función ORing permite sustituir soluciones convencionales en aplicaciones que necesitan garantizar la redundancia de alimentación.
Además, los módulos reducen los transitorios de corriente inversa y aportan una mayor protección en condiciones de fallo.
La respuesta de apagado rápido de 500 ns ayuda a bloquear esos transitorios con mayor eficacia.
Los modelos también destacan por una resistencia de encendido típica de 2,5 y 1,5 mΩ.
Ese valor contribuye a disminuir las pérdidas de potencia y el calor residual en el sistema.
Diseño compacto para comunicaciones, industria y robótica
La serie i1R alcanza una eficiencia de hasta el 99,5 por ciento en un diseño orientado a equipos exigentes.
Cada unidad se presenta en una carcasa metálica apantallada con formato de 1 x 1” o 26,3 x 26,3 mm.
Ese encapsulado favorece el ahorro de espacio y respalda una refrigeración eficiente.
Otro aspecto relevante es que los módulos funcionan sin necesidad de componentes externos.
Por lo tanto, simplifican la integración en equipos de comunicaciones y test y medida.
También resultan adecuados en sistemas industriales en entornos adversos y en aplicaciones de robótica.
En esos escenarios, la serie i1R aporta resistencia al choque y la vibración junto con una arquitectura flexible.
Además, se ha desarrollado para complementar otras soluciones de alimentación, aunque también puede desplegarse con plataformas de terceros.
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