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Transistores LDMOS de potencia

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Transistores LDMOS de potencia

Freescale Semiconductor, presenta dos nuevas soluciones de potencia Airfast RF, transistores LDMOS de potencia, que cubren todas las principales bandas de la infraestructura celular y entregan una ganancia líder en la industria en un encapsulado compacto.

El AFT27S006N entrega 6 W de potencia máxima y es la próxima generación que sigue al popular chip MW6S004N, el controlador “caballo de batalla” de la industria, desplegado ampliamente en instalaciones de clase mundial de infraestructura inalámbrica en todo el mundo.

Freescale también ha añadido un dispositivo de alta potencia a esta familia de transistores LDMOS de potencia, llamado AFT27S010N, que ofrece 10 W de potencia máxima.

Características técnicas de los transistores LDMOS de potencia

Ambos dispositivos cuentan con una destacada gama de frecuencias (700 MHz a 2700 MHz) y de una única etapa de ganancia (20 dB a 24 dB), junto con un paquete de tamaño ultra-pequeño (PLD-1.5 W) lo que les hace ideales para macro aplicaciones MIMO de estación base clasificadas de hasta 40 W de potencia media.

Muchas soluciones de la competencia requieren que los clientes desplieguen varios dispositivos de RF para soportar esta gama, pero los transistores LDMOS de potencia AFT27S006N y el AFT27S010 soportan esta gama de la banda celular con un solo amplificador de potencia.