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SRAM CMOS de 16 Mb en encapsulados TSOP-I y TFBGA

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SRAM CMOS de 16 Mb en encapsulados TSOP-I y TFBGA Alliance Memory ha ampliado su línea de SRAM CMOS de alta velocidad con dos IC 16M que se caracterizan por rapidez de acceso de 10 ns.

El AS7C316096A (2048K x 8) y el AS7C316098A (1024K x 16) se encuentran disponibles en encapsulado TSOP-I de 12 x20 mm y 48 pines. El AS7C316098A también se ofrece en un TFBGA de 6 x 8 mm y 48-ball.

Los nuevos modelos proporcionan un reemplazo compatible pin-for-pin con drop-in fiable para un gran número de soluciones similares en comunicaciones, entornos industriales, automoción y sanidad que suelen requerir rapidez de acceso.

Las memorias AS7C316096A y AS7C316098A se caracterizan por bajo consumo con corriente operativa de 90 mA y corrientes standby de 4 mA, tensión de alimentación de 3.3 V y entradas y salidas compatibles con TTL.

Las dos SRAM han sido fabricadas usando tecnología CMOS de alta fiabilidad para dotar de corriente estable en el rango de temperatura de -40 a +85 °C. Los nuevos IC ofrecen una operación totalmente estática y salida de tres estados, y tensión de retención de datos de, al menos, 1.5 V.