El MOSFET de 600 V SiHK045N60EF se caracteriza por alta densidad, elevada eficiencia y bajas pérdidas de conducción y conmutación.
Vishay Intertechnology introduce un nuevo MOSFET de diodo fast body de la Serie EF de 600 V de cuarta generación en el encapsulado PowerPAK 10 x 12 de bajo perfil. Ofreciendo eficiencia y densidad de potencia a aplicaciones de telecomunicaciones, entornos industriales e informática, el Vishay Siliconix n-channel SiHK045N60EF reduce la resistencia (on–resistance) un 29 por ciento en comparación con los dispositivos de la anterior generación, mientras que la carga de puerta cae alrededor del 60 por ciento.
Vishay ofrece una amplia línea de tecnologías MOSFET que soporta todas las fases del proceso de conversión de potencia, desde las entradas de alta tensión a las salidas de baja tensión requeridas para alimentar los equipos con los últimos avances tecnológicos.
Con el SiHK045N60EF y otros modelos de la serie EF de 600 V de cuarta generación, la compañía responde a la demanda de mejoras en eficiencia y densidad de potencia en dos de las primeras fases de la arquitectura de sistema de alimentación — corrección de factor de potencia (PFC) sin puente totem–pole y bloques convertidores DC/DC subsiguientes.
Las aplicaciones típicas de este MOSFET de 600 V abarcarán edge computing y almacenamiento de datos, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI), bombillas HID y balastos fluorescentes, inversores solares, equipos de soldadura, calentamiento por inducción, accionamiento por motor y cargadores de batería.
Tecnología de última generación
Basándose en la tecnología superjunction E Series de Vishay, la on–resistance típica del SiHK045N60EF se sitúa en 0,045 Ω a 10 V, esto es, un 27 por ciento menor a la de dispositivos en el encapsulado PowerPAK 8 x 8. El resultado es una mayor potencia para aplicaciones de ≥3 kW, en tanto que el perfil de 2,3 mm también ayuda a aumentar la densidad de potencia.
También se distingue por una carga de puerta desde 70 nC que, a su vez, contribuye a disminuir las pérdidas de conducción y conmutación, ahorrando energía e incrementando la eficiencia para cumplir los requisitos de fuentes de alimentación en servidores y sistemas de telecomunicaciones.
Además, el SiHK045N60EF ofrece capacidades de salida Co(er) y Co(tr) de 171 y 1069 pF, respectivamente. Su diodo fast body tiene un Qrr de 0,8 μC para garantizar la fiabilidad en topologías de puente.
Diseñado para resistir transitorios en modo avalancha, el nuevo MOSFET es libre de halógenos y posee los marcados RoHS y Vishay Green.
Finalmente, existe más información del MOSFET en este enlace del fabricante o en el de sus distribuidores internacionales:
- Digi-key, esta página.
- Mouser Electronics, esta página
