Con encapsulados compatibles a nivel de pines y alimentación con las versiones precedentes, esta puerta de medio puente de 650 V soporta la operativa segura.
Infineon Technologies anuncia la ampliación de su catálogo EiceDRIVER con una nueva puerta (gate) de medio puente (half-bridge) de 650 V. Dicha puerta está basada en la tecnología SOI (silicon on insulator) de la misma Infineon.
Este componente electrónico proporciona una inmunidad negativa de transitorios de voltaje, integración monolítica de un diodo de arranque real, y una inmunidad superior de bloqueo para aplicaciones de inversión basadas en MOSFET e IGBT. Estas funcionalidades únicas permiten la realización de diseños más robustos y fiables con un coste total (BOM) reducido.
La familia 2ED218x de salida de alta corriente ha sido realizada para su uso en aplicaciones de alta frecuencia como la cocina por inducción, los compresores de aire acondicionado, SMPS, y sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS).
Por su parte, la familia 2ED210x con salida de baja corriente se dirige a las appliances domésticas, las herramientas de potencia, el control de motores, los ventiladores y las bombas.
El 2ED218x forma parte de la familia EiceDRIVER de alta corriente de 2,5 A, mientras que el 2ED210x con 0,7 A forma parte de la familia de baja corriente. Ambos incluyen variantes con funcionalidad de shutdown y lógica y toma de tierra separadas.
El diodo de arranque integrado de esta puerta de medio puente de 650 V ofrece una recuperación inversa ultrarrápida con una resistencia de encendido típica de 30 Ohmios. Una inmunidad VS negativa de -100 V con pulsos repetitivos de 300 ns de amplitud proporciona una robustez mejorada y una operativa fiable.
Además, el tiempo muerto integrado con lógica de conducción cruzada y UVLO (under-voltage lockout) independiente para fuentes de suministro de alto y bajo voltaje lateral, soportan la operativa segura. El retraso de propagación del driver de la puerta suma en total 200 ns.
Cumplimiento de los estándares en el controlador
Tanto el 2ED218x como el 2ED210x son compatibles, a nivel de pines, eléctrica y funcionalmente, con los dispositivos de las anteriores generaciones IR(S)218x y IR(S)210x. Se encuentran disponibles en encapsulados estándares de la industria DSO-8 (SOIC8) y DSO-14 (SOIC-14) con ratio 2 kV HBM ESD sólo para el 2ED218x.
Los ejemplares tanto de una como de la otra familia pueden ser adquiridos como muestras de producción y también en grandes volúmenes.
