El MOSFET de potencia n-channel de 25 V SiRA20DP ofrece una resistencia máxima de 0.58 mΩ a 10 V y una carga de puerta de 61 nC en un encapsulado PowerPAK SO-8.
Mouser Electronics, distribuidor de introducción de nuevos productos, con la más amplia selección de semiconductores y componentes electrónicos, y que fue nombrado distribuidor de comercio electrónico del 2016 para Europa por Vishay Intertechnology, ha introducido un MOSFET de potencia n-channel TrenchFET Gen IV de 25 V del fabricante con la mínima resistencia (on-resistance) de la industria para un dispositivo de su clase: 0.58 mΩ a 10 V.
Disponible en un encapsulado PowerPAK SO-8 de 6 x 5 mm, este MOSFET de potencia n-channel es “uno de los dos únicos modelos de su clase” con on-resistance menor de 0.6 mΩ. El SiRA20DP se caracteriza por carga de puerta de 61 nC y una FOM un 32 por ciento menor (de 0.035 Ω*nC). El resto de MOSFET n-channel de 25 V tiene una resistencia, al menos, un 11 por ciento superior.
Esta baja resistencia contribuye a minimizar las pérdidas de conducción y, por consiguiente, aumentar la eficiencia de sistema y la densidad de potencia, algo esencial en funciones OR-ring en arquitecturas redundantes.
La FOM, por su parte, mejora el rendimiento de conmutación de conversión DC/DC en fuentes de alimentación de servidores y sistemas de telecomunicaciones, baterías y conmutación de carga para carriles de entrada de 5 a 12 V.
Otras características en el MOSFET de potencia n-channel de 25 V
Los MOSFET SiRA20DP, que son libres de halógenos, cumplen la normativa RoHS y superan los test RG y UIS.