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MOSFET de potencia

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MOSFET de potencia

STMicroelectronics ha introducido su última generación de dispositivos de potencia de elevada eficiencia energética, que pretende reducir el impacto medioambiental de múltiples equipos en telecomunicaciones o sistema informáticos, inversores solares, automatización industrial y automoción.

Por ejemplo, los nuevos MOSFET STripFET DeepGATE proporcionan la mejor eficiencia de conducción entre los dispositivos de 80 y 100 V disponibles en el mercado. También contribuyen a aumentar la eficiencia de conmutación.

Estos dispositivos de ST ayudan a simplificar los diseños y reducir el tamaño y el coste de los equipos al poder cumplir los objetivos de consumo usando menos componentes en encapsulados compactos.

El principal avance de la tecnología STripFET VII DeepGATE se encuentra en una estructura mejorada de puerta de MOSFET, que minimiza tanto la resistencia on-state del dispositivo como las capacitancias internas y la carga de puerta para aportar una conmutación más rápida y eficiente.

Los nuevos modelos poseen un diseño high avalanche ruggedness para evitar posibles deterioros en condiciones adversas, lo que es especialmente idóneo en la industria de la automoción.

Estos dispositivos con tecnología STripFET VII DeepGATE, como el STP270N8F7 de 80 V y el STD100N10F7, el STL100N10F7 y el STH310N10F7 de 100 V, se encuentran disponibles en una amplia variedad de encapsulados (TO-220, DPAK, PowerFLAT 5×6 y H2PAK de 2 y 6-lead).

La nueva generación se une al portfolio de soluciones de MOSFET de ST para ofrecer eficiencia, densidad de potencia y diseño rugerizado con los ratios de tensión empleados en muy diversas aplicaciones.

La tecnología STripFET VII DeepGATE es ideal en aquellos sistemas que operan con tensiones DC (como 48 V), cada vez más empleadas en telecomunicaciones. Los dispositivos con ratios de 80 o 100 V poseen un “margen de seguridad” para resistir las sobretensiones en un sistema de 48 V. También es idónea en aplicaciones de automoción de 12 o 24 V.