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MOSFET de canal dual

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MOSFET de canal dual

Advanced Power Electronics ha lanzado un MOSFET de potencia de modo mejorado N-channel asimétrico-dual que se dirige a diseños de convertidor dc/dc buck síncrono.

Disponible en un encapsulado PMPAK 3×3 de 3 mm², el modelo AP6950GYT se compone de un MOSFET de control “high-side” (canal 1) y un MOSFET síncrono “low-side” (canal 2) para ofrecer una solución compacta en aplicaciones de buck. El drain-source breakdown voltage (BVDSS) para ambos canales se sitúa en 30 V, mientras que la on-resistance es de 18 mΩ (canal 1) y 10.5 mΩ (canal 2).

Ralph Waggit, Presidente y CEO de la compañía, destaca que “estos MOSFET ofrecen una alternativa económica y eficiente con una excelente combinación de conmutación rápida, diseño rugerizado y baja on resistance”.

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