El nuevo MOSFET de 24 V protege la circuitería y ayuda a alargar la vida de la batería tras una carga rápida.
Magnachip Semiconductor anuncia un nuevo transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de 24 V para baterías de auriculares inalámbricos.
Este MOSFET de 24 V pretende ayudar a los diseñadores a alargar la vida de la batería tras una carga rápida al recudir la pérdida de conducción. La densidad de la celda de núcleo del nuevo modelo se ha incrementado un 30 por ciento en comparación con la versión anterior, mientras que el diseño de la celda, la terminación y las almohadillas de fuente se ha mejorado para poder disminuir la RDS(on) un 24 por ciento.
Como resultado, se minimiza la pérdida de conducción y se mejora la carga y la descarga y la eficiencia total para proteger los circuitos de batería. Además, el nuevo MOSFET aporta protección ante la descarga electrostática (ESD) para suprimir tensiones anormales de más de 5 V y resistir hasta 2 kV para incrementar la seguridad del circuito.
“Magnachip ha desarrollado este MOSFET con un excelente rendimiento tras lanzar tres tipos de MOSFET de baja tensión diseñados para cumplir los requisitos de las baterías de los teléfonos móviles inteligentes”, afirma YJ Kim, CEO de Magnachip. “Una vez más, hemos demostrado nuestro liderazgo tecnológico con este nuevo producto y tenemos previsto ampliar en un futuro cercano la familia para dispositivos alimentados por batería con MOSFET para gafas de realidad virtual (RV) y vestibles”.
Omdia, firma de investigación global, estima que el mercado de los auriculares inalámbricos crecerá un 15,1 por ciento anualmente entre 2020 y 2026.
