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LED de 1 W fabricado en obleas de 200 mm

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TTI, Inc. ha anunciado la disponibilidad en stock del primer LED de 1 W del mercado, que ha sido fabricado en oblea de silicio de 200 mm.

El nuevo LED blanco TL1F1 de Toshiba ofrece una solución económica a los actuales encapsulados en tareas de iluminación industrial y de propósitos generales.

Los LED-chips se suelen producir en obleas de 2 a 4” con un costoso sustrato de zafiro. Toshiba y Bridgelux han desarrollado un proceso de fabricación de LED de nitruro de galio en obleas de silicio de 200 mm, que ya ha sido utilizado en las instalaciones de Kaga Toshiba Electronics Corporation (Japón).

La nueva tecnología de Nitruro de Galio en Silicio (GaN-on-Si) permite reemplazar los sustratos de zafiro y producir LED-chips con una alternativa de silicio mucho más competitiva.

La serie TL1F1 se beneficia de un formato compacto (6.4 x 5.0 x 1.35 mm), elevado rango de flujo luminoso de 85 a 112 lm (con IF= 350 mA) y CRI (colour rendering index) de Ra = 80. La temperatura de color de estos LED blancos oscila entre 3000 y 5000K. También se encuentra disponible soldadura de reflujo.

Diseñados para operar en el rango de temperatura de -40 a +100 °C, estos LED son ideales en aplicaciones iluminación general, bombillas, focos y farolas.