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HEMT de potencia GaN de 650 V para proyectos espaciales

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Nuevo HEMT de potencia GaN de 650 V para proyectos espaciales que se suministra en versiones con refrigeración en las partes superior e inferior, lo que mejora su rendimiento.

Teledyne e2v HiRel lanza un nuevo transistor de alta movilidad de electrones (HEMTHigh Electron Mobility Transistor) de potencia de 650 V / 60 A que se basa en la tecnología de GaN Systems.

El nuevo TDG650E60 se convierte en el dispositivo de potencia GaN con “mayor tensión del mercado para aplicaciones militares y espaciales de alta fiabilidad” y ahora incluye opciones de refrigeración en las partes superior e inferior (top-side y bottom-side).

Los dispositivos de nitruro de galio (GaN) están revolucionando la conversión de potencia en otras industrias y ahora se suministran con encapsulados plásticos tolerantes a la radiación que superan los estrictos requisitos de misiones críticas.

Por esto, el lanzamiento del TDG650E60 pretende dotar a los clientes de la eficiencia, el pequeño formato y la densidad de potencia requeridos en proyectos militares y aeroespaciales.

Teledyne e2v HiRel lleva a cabo los test de cualificación requeridos por la industria para garantizar la máxima fiabilidad. Las pruebas incluyen test sulfúrico, simulación de altura, estrés de paso a +175 °C, tensión de puerta de 9 V y test de temperatura total.

Características importantes en el transistor de 650 V

HEMT de potencia GaN de 650 V para proyectos espaciales

En principio, el TDG650E60 GaN Power HEMT tiene un formato extremadamente compacto y se beneficia de la tecnología patentada Island Technology de GaN Systems, que ofrece un sistema de disipación de carga vertical y escalable que aporta mejoras en disminución de pérdidas térmicas, densidad de potencia, almacenamiento sin carga y velocidad de conmutación.

Además, a diferencia de los dispositivos de carburo de silicio (SiC), el TDG650E60 se pueden implementar en paralelo para incrementar la corriente de carga o reducir la RDS(on). El uso de la tecnología de encapsulado GANpx permite disminuir el tamaño y el peso de la electrónica de potencia.

“Este nuevo dispositivo ayuda a los ingenieros de diseño a crear fuentes de alimentación y controladores de motor pequeños y eficientes que pueden rendir en entornos de alta radiación, como el espacio”, concluye Mont Taylor, vicepresidente de Teledyne e2v HiRel.


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