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Emisores infrarrojos

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Vishay Intertechnology, Inc. ha extendido su portfolio de optoelectrónica con la introducción de dos nuevos emisores infrarrojos de 850 y 940 nm y un fotodiodo PIN de silicio de alta velocidad package-matched con sensibilidad de 780 a 1050 nm.

Las unidades VSMG10850, VSMB10940 y VEMD10940F ofrecen un ángulo de ±75 ° de la mitad de intensidad en un encapsulado de montaje en superficie de 3 x 2 x 1 mm.

Disponibles en encapsulados plásticos “incoloros”, los emisores IR proporcionan una intensidad de 1 mW / sr a 20 mA, hasta un 33 por ciento superior a la de dispositivos similares del mercado, y conmutación rápida de 15 ns.

El VSMB10940 de 940 nm se distingue por tecnología GaAlAs multi quantum y tensión look forward de 1.3 V, mientras que el VSMG10850 de 850 nm incluyen tecnología GaAlAs double hetero y una tensión look forward de 1.4 V.

El fotodiodo VEMD10940F tienen un filtro de bloque de luz de día compartido con emisores IR de 830 a 950 nm. También destaca por corriente de luz inversa de 3 µA, corriente de baja oscuridad de 1 nA, longitud de onda de pico de sensibilidad de 920 nm y coeficiente de temperatura de 0.1 % / K de corriente de luz.

Los tres nuevos dispositivos están optimizados para uso en paneles táctiles IR para display de impresoras, eBooks, Smartphones, Tablets, ultrabooks y unidades GPS.