Maria Camara

Transistores JFET de carburo de silicio de 650 V

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Transistores JFET de carburo de silicio de 650 V

SemiSouth Laboratories, Inc. ha sido la primera compañía de la industria en desarrollar transistores de potencia JFET de carburo de silicio de 650 V. Esta empresa ya fue pionera en 2008 al lanzar JFET ‘trench’ de 1200 V que son empleados exitosamente en SAI, productos de alta fiabilidad, sistemas de audio e inversores solares.

Las elevadas velocidades de conmutación, la enorme capacidad de gestión de corriente y las propiedades térmicas de la tecnología SiC hacen que los nuevos transistores sean idóneos para numerosas aplicaciones de electrónica de potencia.

Las unidades de 650 emplean estructuras JFET para alcanzar una de las mejores ‘resistencias-on’ del mercado, que es entre cinco y diez veces inferior a la de tecnologías similares.

Los SiC JFET SJDA065R055 de 650 V / 55 m? se caracterizan por un coeficiente de temperatura positivo para facilitar la operación en paralelo y acelerar la conmutación sin ‘tail current’ a +150 °C.

La RDS(on) típica para estos dispositivos de tensión controlada se sitúa en 0.044 ? y también exhibe una carga baja de puerta y mínima capacitancia intrínseca.

Por lo tanto, estos novedosos transistores SiC JFET se pueden usar en inversores solares, SMPS, circuitos PFC, calentadores por inducción, SAI y drives de motor.

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