GaN Systems ha anunciado la disponibilidad de los transistores de potencia GaN de 650 V y 15 A más compactos de la industria. Con unas dimensiones de 5 x 6.5 mm, el modelo GS66504B es un 50 por ciento menor que la mayoría de dispositivos de la competencia.
Jim Witham, CEO de GaN Systems, destaca que “nos hemos sorprendido al observar la presentación de encapsulados dual-flat no-lead (DFN) de 8 x 8 mm para los nuevos transistores de potencia GaN de 650 V y 15 A que son calificados como los “más diminutos del sector”. Esto también puede reflejar la rapidez de movimiento en el mercado GaN y la indicación positiva de que el silicio no tiene límites”.
“Nuestro mensaje a los diseñadores de televisores de pantalla plana, consolas de juego, lavadoras, inversores y vehículos eléctricos, entre otros, es el siguiente: si no te has subido al barco de las soluciones GaN, estás por detrás de tus competidores”, añade Witham.
Diseño para los nuevos transistores de potencia GaN de 650 V y 15 A
GaN Systems es la primera compañía que ha desarrollado una gama completa de dispositivos con corrientes de 7 a 250 A. Su diseño de die con Island Technology, junto a una inductancia extremadamente baja, un packaging GaNPX de elevada eficiencia térmica y la tecnología Drive Assist, permite mejorar cuarenta veces el rendimiento de conmutación y conducción en comparación con MOSFET e IGBT de silicio tradicionales.
