Maria Camara

Transistor de potencia para radar pulsado de Banda-L

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Transistor de potencia para radar pulsado de Banda-L

M/A-COM ha introducido un nuevo transistor de potencia GaN on SiC HEMT para aplicaciones de radar pulsado de Banda-L.

El MAGX-001214-500L00 es un transistor pre-metched chapado en oro que ofrece una potencia de salida de 500 W con ganancia de 19 dB y eficiencia del 55 por ciento.

El nuevo dispositivo también se caracteriza por elevadas tensiones breakdown, que permiten una operación de 50 V bajo condiciones de mismatch de carga extrema.

El transistor se ensambla usando un diseño state-of-the-art y ensamblaje de packaging para aumentar la ganancia y la eficiencia en las aplicaciones más demandadas.

Con un rango de frecuencia de 1.2 a 1.4 GHz, el MAGX-001214-500L00 se convierte en una buena alternativa para actualizar sistemas de radar de Banda-L al próximo nivel de rendimiento de potencia pulsada.

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