Alvaro Llorente

Transistores GaN para comunicaciones

El distribuidor Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, ha anunciado la disponibilidad en stock de los transistores GaN para comunicaciones por radio y radares por radiofrecuencia (RF) de nitruro de galio (GaN) QPD de Qorvo.

 Irene Oñate

Plataforma de evaluación de transistores GaN

GaN Systems ha lanzado un kit de evaluación de transistores GaN de estilo daughterboard para ayudar a los ingenieros de sistemas de potencia a valorar el rendimiento GaN E-HEMT de cualquier diseño, junto con una placa madre universal (GS665MB-EVB).

 Maria Camara

Transistores de potencia LDMOS

RS Components (RS) y Allied Electronics (Allied), marcas comerciales de Electrocomponents plc, el mayor distribuidor de productos y servicios de electrónica y mantenimiento a nivel mundial, anuncian que su distribuida NXP Semiconductors ha introducido su tercera generación de productos RF Airfast que incluye cuatro transistores de potencia LDMOS para macro-estaciones base móviles.

 Irene Oñate

Transistores RF LDMOS

Ampleon ha anunciado la disponibilidad de una línea completa de transistores RF LDMOS de potencia y pallets basados en la última tecnología de proceso Gen 9 LDMOS.

 Guillem Alsina

Transistor de potencia GaN

Con una relación precio/prestaciones que le permite ser altamente competitivo ante dispositivos equivalentes LDMOS, este transistor de potencia GaN cumple con los requisitos exigidos para la próxima generación de amplificadores de potencia.

MACOM Technology Solutions ha presentado su nuevo transistor de potencia GaN MAGe-102425-300 de 300 W de tipo SMD en silicio.

 Maria Camara

Transistores DMOS FET

Los nuevos conjuntos de transistores DMOS FET con el primer conductor Sink-Output 1.5 A de la industria se podrán utilizar en aplicaciones sobre motores, relés y unidades de LED. Toshiba Electronics Europe ha puesto en marcha una nueva generación de conjuntos de transistores DMOS FET (Double-Diffused MOSFET) de alta eficiencia. Las nuevas series TBD62064A y […]

 Irene Oñate

Transistores de potencia GaN

Con muestras disponibles, la nueva serie MAGb de transistores de potencia GaN de MACOM ofrecen un rendimiento excelente para LDMOS para estaciones base inalámbricas.

M/A-COM Technology Solutions presenta su serie MAGb de transistores de potencia GaN para su uso en macro estaciones base inalámbricas.

 Guillem Alsina

Transistor de potencia RF LDMOS

Disponible en tres placas de desarrollo que incluyen este transistor de potencia RF LDMOS, la compañía fabricante cubre todo el espectro de la banda UHF.

Ampleon ha anunciado el lanzamiento de su nuevo transistor de potencia RF LDMOS BLF888E, diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación Doherty para DVB-T UHF de banda ancha asimétrica.

 Alvaro Llorente

Matrices de transistores

La nueva generación de matrices de transistores de Toshiba es una nueva gama ampliada de elevada eficiencia con el primer controlador DMOS FET source-output de la industria.

Toshiba Electronics Europe ha anunciado el lanzamiento de una nueva generación de matrices de transistores de alta eficiencia, la primera de la industria con un controlador DMOS FET (MOSFET doble difuso) source-output.