Microsemi Corporation, suministrador de soluciones de semiconductor diferenciadas por su potencia, seguridad, fiabilidad y prestaciones, ha anunciado dos nuevas matrices no magnéticas de 500 W para supresión de transitorios de tensión (TVS).

Los nuevos dispositivos han sido especialmente diseñados para aparatos de generación de imágenes mediante resonancia magnética (MRI) como protección frente a los daños que puedan ocasionar en el circuito la descarga electrostática, transitorios eléctricos de alta velocidad y los efectos de rayos secundarios. Las matrices TVS USBQNM504xx y USBQNM504xxC ya se encuentran disponibles y han sido homologadas para su uso por parte de un importante fabricante de equipamiento médico.

“Nuestras matrices TVS de altas prestaciones emplean metal no ferroso en su encapsulado, por lo que resultan ideales para su funcionamiento en MRI y otros dispositivos médicos que trabajan en entornos con un potente magnetismo”, declaró Simon Wainwright, vicepresidente de Marketing y Desarrollo del Negocio en el Grupo HiRel de Microsemi. “Esta capacidad añade otra capa de protección frente a los picos de tensión que pueden alterar los datos en equipamiento médico sensible y ofrecer unos resultados imprecisos que puedan afectar negativamente a la salud del paciente”.

Las matrices TVS USBQNM504xx y USBQNM504xxC protegen líneas unidireccionales y bidireccionales, respectivamente. Estas soluciones respetuosas con el medio ambiente no contienen halógenos y se suministran en un encapsulado QFN no ferroso de 143 patillas sin terminales.

Su carcasa “ecológica” conforme a RoHS también es compatible patilla a patilla con los encapsulados SOT-143.

Tienen una potencia de pico de 500 W para un pulso de 8/20 microsegundos (?s) y protección frente a descarga electrostática (ESD) según se define en IEC 61000-4-2, transitorios eléctricos de alta velocidad (electrical fast transients, EFT) según IEC 61000-4-4 y efectos de rayos secundarios. Además también tienen una protección a nivel de placa para circuitería sensible, incluyendo TTL, CMOS, DRAM, SRAM, HCMOS, microprocesadores HSIC, y transceptores USB y de E/S.