Irene Oñate

Controladores de puerta para MOSFET

ROHM Semiconductor anuncia una nueva serie de controladores de puerta para MOSFET aislados de potencia en PCIM 2017, la principal feria comercial dedicada a Electrónica de Potencia, Movimiento Inteligente y Gestión Energética, que se celebra en Núremberg.

 Maria Camara

Acuerdo global con D3 Semiconductor

Mouser Electronics, distribuidor mundial autorizado con los más nuevos semiconductores y componentes electrónicos, anunció un acuerdo de distribución global con D3 Semiconductor, un proveedor de clase mundial de MOSFET de potencia de super unión.

 Alvaro Llorente

MOSFET SiC de 900 V / 70 A

Vincotech ha anunciado un nuevo MOSFET SiC de 900 V / 70 A para frecuencia de conmutación de hasta 400 kHz. El denominado flowPACK 1 SiC es “más rápido que la mayoría de MOSFET SiC de 1200 V y más seguro que los modelos de 650 V”, respondiendo así a las necesidades de estaciones de […]

 Maria Camara

MOSFET de potencia en encapsulado LFPAK33

Nexperia, la antigua división de Productos Estándares de NXP, ha anunciado la disponibilidad de sus MOSFET de potencia en encapsulado LFPAK33 de grado automoción con mejoras térmicas y un tamaño un 80 por ciento menor que otros dispositivos estándares.

 Irene Oñate

Driver de MOSFET con aislamiento trifásico

El driver de MOSFET con aislamiento trifásico A6862, que se dirige al sector de la automoción, reemplaza a relés mecánicos y circuitos discretos. Allegro MicroSystems ha introducido un driver de MOSFET de potencia N-Channel con capacidad de aislar una carga trifásica al poder controlar los MOSFET de aislamiento en fase.

 Alvaro Llorente

MOSFETs delgados de 700 V

Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, informa que su representada Infineon Technologies ha presentado sus nuevos MOSFETs delgados de 700 V pertenecientes a lafamilia CoolMOS P7 con el objetivo de satisfacer las necesidades de topologías flyback cuasi resonantes.

 Irene Oñate

MOSFET de potencia N-Channel

La División de Almacenamiento y Dispositivos Electrónicos de Toshiba Corporation ha ampliado su línea de MOSFET de potencia N-channel de baja tensión con la incorporación de unidades de 100 V que soportan controladores de nivel lógico de 4.5 V para cargadores rápidos.

 Alvaro Llorente

MOSFET para aplicaciones de misión crítica

IR HiRel, una compañía de Infineon Technologies, ha lanzado sus primeros MOSFET para aplicaciones de misión crítica “resistentes a la radiación” basados en una plataforma de tecnología N-channel R9 propia.

 Irene Oñate

MOSFET de potencia de 150 V

RS Components y Allied Electronics, marcas comerciales de Electrocomponents, distribuidor de productos y servicios de electrónica y mantenimiento a nivel mundial, anuncian que su represnetada Infineon Technologies ha ampliado su familia OptiMOS 5 de MOSFET de potencia de 150 V con nuevos modelos de mayor voltaje para responder a las necesidades de diseños y aplicaciones […]

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