Irene Oñate

Convertidor de tiempo a señal digital

Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, ha anunciado la disponibilidad en stock del convertidor de tiempo a señal digital TDC7201 de Texas Instruments, diseñado para su uso con equipos de telemetría de ultrasonidos, láser y radar que utilicen la técnica de tiempo de vuelo (time-of-flight, TOF). Las […]

 Maria Camara

Microcontrolador para auriculares

El microcontrolador para auriculares Earphone Bridge MCU BH45F0031 facilita la comunicación entre aparatos de atención sanitaria y teléfonos móviles. Holtek, empresa representada en España, Portugal y Chile por Anatronic, anuncia la disponibilidad de su nuevo Earphone Bridge MCU BH45F0031, un circuito integrado diseñado especialmente para productos de comunicación con toma de auriculares.

 Alvaro Llorente

MOSFETs delgados de 700 V

Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, informa que su representada Infineon Technologies ha presentado sus nuevos MOSFETs delgados de 700 V pertenecientes a lafamilia CoolMOS P7 con el objetivo de satisfacer las necesidades de topologías flyback cuasi resonantes.

 Irene Oñate

Convertidor step-down DC-DC síncrono

Ricoh Europe presenta su nuevo convertidor step-down DC-DC síncrono de 4 A RP510 con un rango de tensión de entrada de hasta 5.5 V y un rango de voltaje de salida fijo a ajustable de 0.8 a 3.3 V. Soporta convertidores de fuentes de alimentación o punto de carga para microprocesadores, FPGA o DSP.

 Irene Oñate

Osciladores MEMS para automoción

SiTime Corporation, subsidiaria de MegaChips Corporation, ha presentado dos nuevas familias de sus osciladores MEMS ultra robustos con calificación AEC-Q100, los SiT2024/25 y SiT8924/25.

 Maria Camara

Amplificador de potencia GaN

Mitsubishi Electric Corporation y Mitsubishi Electric Research Laboratories (MERL) han anunciado el desarrollo de Doherty un amplificador de potencia GaN de nitruro de galio y banda ultra ancha para estaciones base de próxima generación, que es compatible con un rango de bandas de frecuencia por encima de 3 GHz para cubrir un ancho de banda […]

 Irene Oñate

MOSFET de potencia N-Channel

La División de Almacenamiento y Dispositivos Electrónicos de Toshiba Corporation ha ampliado su línea de MOSFET de potencia N-channel de baja tensión con la incorporación de unidades de 100 V que soportan controladores de nivel lógico de 4.5 V para cargadores rápidos.

 Alvaro Llorente

Semiconductores para energía, una revisión anual

Este año ha sido uno de los más emocionantes en el sector de los semiconductores para energía. Los fabricantes de este tipo de componentes de energía han trabajado mucho en la innovación, y el resultado son nuevos estándares, tecnologías y productos. Este artículo, escrito por Mark Patrick, de Mouser Electronics, es una recapitulación de las […]

 Alvaro Llorente

MOSFET para aplicaciones de misión crítica

IR HiRel, una compañía de Infineon Technologies, ha lanzado sus primeros MOSFET para aplicaciones de misión crítica “resistentes a la radiación” basados en una plataforma de tecnología N-channel R9 propia.

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