Alvaro Llorente

Switch de carga dual y baja Rds(on)

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Switch de carga dual y baja Rds(on)

Advanced Power Electronics Corp. (USA) ha anunciado un switch de carga dual de 6 A de baja on-resistance en un diminuto encapsulado DFN de 14 pines (3 x 2 mm) con pad térmico. Compuesto por dos MOSFET N-channel, el APE8990-3 tiene una Rds(on) de 20 mΩ y funcionalidad controlada.

Los MOSFET operan sobre un rango de tensión de entrada de 0.8 a 5.5 V y cada uno de ellos soporta una corriente máxima de 6 A. Cada switch de carga se gestiona mediante una entrada ON / OFF con capacidad de interconectar directamente con las señales de control de baja tensión.

Otras características a destacar son resistencia de carga de 150 Ω on-chip para descarga de salida rápida cuando se “desconecta” el propio switch, y tiempo de subida ajustable usando un condensador cerámico externo en el pin CTx para evitar la presencia de corriente inrush.

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