Irene Oñate

SRAM CMOS de elevada densidad y bajo consumo

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SRAM CMOS de elevada densidad y bajo consumo

Alliance Memory ha ampliado su línea de SRAM CMOS de bajo consumo con un nuevo modelo 32M IC (2M x 16 / 4M x 8 conmutable), el dispositivo con mayor densidad de la compañía hasta la fecha.

Operando desde una fuente de alimentación de 2.7 a 3.6 V y ofreciendo acceso rápido de 55 ns, el AS6C3216 ha sido optimizado para aplicaciones industriales, telecomunicaciones, sanidad y automoción y está especialmente indicado para memoria no volátil de backup de batería.

El nuevo dispositivo, que se suministra en encapsulado TSOP-I de 12 x 20 mm de 48 pines, se caracteriza por bajo consumo con corriente operativa de 45 mA y en standby de 10 µA. Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL.

El AS6C3216, fabricado usando tecnología CMOS de alta fiabilidad y elevado rendimiento, tiene un rango de temperatura de -40 a +85 °C y aporta operación totalmente estática y salida tri-state, así como una tensión de retención de datos de, al menos, 1.2 V.

Con esta incorporación, la gama de productos SRAM de bajo consumo de Alliance Memory incluye densidades de 64K, 256K, 1M, 2M, 4M, 8M, 16M y, ahora, 32M.

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