Toshiba Electronics Europe ha presentado un nuevo diseño de encapsulados de cuatro pines A-247 MOSFET con el objetivo de controlar el factor de potencia para SPS (Smart Power Stage) de alta potencia. El nuevo tipo de encapsulado está equipado con chips DTMOS-H de alta velocidad con baja QGD para optimizar el comportamiento de conmutación.
En los paquetes convencionales de tres pines A-247, la inducción parasitaria en la fuente de los pines aumenta las pérdidas con el aumento de la frecuencia de conmutación. Con el diseño de encapsulados de cuatro pines To-247 4L un terminal adicional de fuente de señal se separa como una «fuente de Kelvin. Mediante el uso de esta fuente pin, di / dt y la eficiencia de conmutación se puede aumentar. En comparación con una solución de tres pines, las pérdidas de conmutación E(on) se reducirán en la nueva solución de cuatro pines en un 15%.
Los chips DTMOSIV-H se realizan con tecnología Deep Trench de Toshiba que ofrece menor resistencia ON (RDS(ON)) a temperaturas más altas, en comparación con MOSFETs convencionals de super-unión. También ofrece reducida pérdidas de conmutación de apagado (EOSS) que las generaciones anteriores. La combinación de incrementos más pequeños en RDS(ON) a altas temperaturas y reduce las pérdidas de conmutación por apagado EOSS proporcionando una mayor eficiencia para fuentes de alimentación y ayudando a los diseñadores a minimizar el tamaño del sistema.
Modelos en el nuevo diseño de encapsulados de cuatro pines
El nuevo estilo de los encapsulados de cuatro pines A-247 inicialmente se ve en cuatro miembros de la gama DTMOSIV-H, el TK25Z60X, TK31Z60X, TK39Z60X y TK62Z60X todos los cuales cuentan con VDSS de 600V con valores RDS(ON) de 125 a 40mOhm.
Las muestras de los nuevos diseño de encapsulados de cuatro pines están disponibles ahora y entrarán en producción en masa más tarde en 2015.
