Toshiba Electronics Europe amplía su gama de MOSFETs de potencia con diodos integrados (HSDs) DTMOS IV de 600 V para su uso en fuentes de alimentación de alta eficiencia y aplicaciones de control de motor de puente total o parcial.
El tiempo de recuperación inversa (trr) de los HSDs, sufren sólo de una mínima influencia térmica, asegurando una rápida conmutación a través de una amplia gama de temperaturas.
Los nuevos MOSFETs de potencia con diodos integrados denominados TK5P60W5 (con ID=4,5A y RDS(ON)=0,99Ohm) están alojados en el encapsulado más pequeño de la serie, un encapsulado DPAK (TO-252), y alcanzan un tiempo de recuperación inversa (trr) de diodo típico de 65 ns. La capacidad de entrada (Ciss) de 370 pF y a QG de sólo 11,5 nC, admiten un funcionamiento de conmutación eficiente.
El nuevo TK62N60W5 (RDS(ON):0,045Ohm) es unos de los MOSFETs de potencia con diodos integrados más grande de la serie, se encuentra en un encapsulado de 3 pines TO-247 y soporta la potencia de salida más elevada de ID=61,8A. Logra un trr de diodo típico de 170 ns, Ciss de 6500 pF y QGof 205 nC.
Los chips DTMOS IV-H se fabrican con tecnología «Deep Trench» de Toshiba que ofrece menor resistencia ON (RDS(ON)) a temperaturas más altas, en comparación con MOSFETs de super-unión convencionales. También ofrece pérdidas de conmutación de apagado (EOSS) menores que las generaciones anteriores. La combinación de incrementos más pequeños en RDS(ON) a elevadas temperaturas y la reducción de trr de diodo proporcionan una mayor eficiencia y ayuda a los diseñadores para minimizar el tamaño del sistema.
Diseños con los MOSFETs de potencia con diodos integrados
Las muestras de ambos dispositivos están actualmente disponibles, con TK62N60W5 ya programado para entrar en producción masiva, y el TK5P60W5 programado para entrar en producción en masa en octubre de 2015.
