El fabricante especializado en baja ON-resistance y disipación de calor en encapsulados compactos introduce MOSFETs para conmutación de carga en dispositivos móviles.
Toshiba Electronics Europe anuncia la introducción de dos nuevos MOSFETs para conmutación de carga «2 en 1»: el modelo SSM6L61NU y el SSM6N61NU. Estos MOSFETs, que se alojan en encapsulados compactos SOT-1118 (UDFN6), cuentan con una excelente disipación de calor y baja ON-resistance de drenaje sobre el propio dispositivo [RDS (ON) = 25 mΩ (típ.) @ N-ch, VGS = 4,5 V].
Con N-CH ON-resistance de 25 mΩ líder de la industria actual (en comparación con un N-ch de un producto encapsulado UDFN6) los nuevos MOSFETs contribuyen a la reducción de pérdida de potencia en las fuentes de alimentación y amplían el tiempo de funcionamiento de los dispositivos alimentados por batería.
El SSM6L61NU es un dispositivo complementario y el SSM6N61NU es un dispositivo doble N-ch. Cuando se utiliza en aplicaciones con USB Tipo C interactúa el SSM6L61NU y el SSM6N61NU se pueden colocar entre el Vout (voltaje de salida) del circuito integrado gestor de potencia y el SoC, o en otras partes del circuito.
Un paquete encapsulado, que mide tan sólo 2 mm x 2 mm, mejora el ratio de disipación de potencia (PD = 1 W) y reduce la huella de los MOSFETs en un 50%, cuando se compara con los alojados en un encapsulado PS-8, lo que permite su utilización en diferentes tipos de diseños.
Aplicaciones en los MOSFETs para conmutación de carga
Estas características los hacen adecuados para su uso como conmutadores de gestión de potencia y convertidores DC-DC, en varios dispositivos móviles, como teléfonos inteligentes y tabletas. El SSM6L61NU y SSM6N61NU también se pueden utilizar en aplicaciones de gestión de la batería y para la conmutación de carga en aplicaciones con interfaces USB tipo C.
