Asis Rodriguez

MOSFET de potencia SiC

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ROHM Semiconductor ha anunciado el desarrollo un MOSFET de potencia SiC (carburo de silicio) de elevada tensión (1200 V) para inversores y conversores de dispositivos industriales y generadores de energía fotovoltaica.

El SCH2080KE, que es el primer modelo en integrar un SiC SBD, se caracteriza por baja pérdida de potencia y elevada fiabilidad para reducir el consumo y soportar periféricos más compactos (con frecuencias superiores a 50 kHz).

El nuevo dispositivo prácticamente elimina las pérdidas de conmutación eléctrica asociadas a los IGBT Si (silicio) usados en inversores y convertidores de 1200 V.

ROHM también ofrece la versión SCT2080KE (sin SiC SBD).


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