Irene Oñate

MOSFET de potencia N-Channel

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MOSFET de potencia N-Channel

RS Components (RS) y Allied Electronics (Allied), marcas comerciales de Electrocomponents plc, el mayor distribuidor de productos y servicios de electrónica y mantenimiento a nivel mundial, nos informa que su representada Vishay Intertechnology, Inc. ha lanzado un nuevo MOSFET de potencia TrenchFET n-channel en un encapsulado PowerPAK SO-8 (con mejoras térmicas) que extiende la tecnología ThunderFET de la compañía a los 150 V.

El Vishay Siliconix SiR872ADP ofrece una low on-resistance de 18 mΩ a 10 V y 23 mΩ a 7.5 V, manteniendo una baja carga de puerta de 31 nC a 10 V y 22.8 nC a 7.5 V.

El nuevo dispositivo ha sido optimizado para conmutación primary-side y rectificación síncrona secondary-side en convertidores DC/DC, inversores DC/AC y convertidores boost para bricks de telecomunicaciones, micro-inversores solares y motores DC sin escobilla. En estas aplicaciones, el SiR872ADP aporta una on-resistance un 45 por ciento menor que generaciones previas para ayudar a reducir las pérdidas de conducción y aumentar la eficiencia total del sistema.

Este MOSFET de potencia se une a las unidades ThunderFET SiR846ADP y SiR870ADP de 100 V y SiR826ADP de 80 V, recientemente presentadas, para ofrecer a los diseñadores una amplia variedad de opciones de media tensión en encapsulado PowerPAK SO-8.

El SiR872ADP, libre de halógenos, cumple la definición JEDEC JS709A y la directiva RoHS 2011/65/EU.

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