Irene Oñate

MOSFET de potencia

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MOSFET de potencia Advanced Power Electronics Corp. (APEC) ha anunciado su familia AP9412A de MOSFET de potencia N-channel enhancement-mode que se caracteriza por rapidez de conmutación y baja resistencia.

Disponible en encapsulados SO-8, TO-252 y TO-220CFM, los nuevos dispositivos tiene una tensión mínima de drain-source breakdown de 30 V y una resistencia RDS(on) de sólo 6 mΩ. Otras características dependen del encapsulado elegido.

La gana AP9412A es ideal en entornos comerciales e industriales, incluyendo aplicaciones de bajo voltaje, como convertidores DC/DC.

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