Vishay Intertechnology ha dado a conocer su primer MOSFET de alto voltaje perteneciente a la nueva familia 500 V que ofrece los mismos beneficios de baja conducción y pérdidas de conmutación que las E Series 600 V y 650 V de la misma compañía.
La baja resistencia y carga de puerta de los nuevos MOSFET de alto voltaje juega un papel clave en el ahorro de energía a alta potencia, los productos de consumo de alto rendimiento, aplicaciones de iluminación, y la fuente de alimentación ATX/silver para PC.
Construido sobre la base de de la segunda generación Super Junction Technology, el nuevo MOSFET Vishay Siliconix SiHx25N50E 500 V proporciona un complemento de alta eficiencia a los componentes de la serie 500 V D de Vishay basados en la tecnología planar de alto rendimiento.
Los MOSFET de alto voltaje de 25 A tiene la característica de baja resistencia de 145 mΩ con una variedad de opciones en cuanto a empaquetado, incluyendo el TO-220 (SiHP25N50E), TO-247AC (SiHG25N50E), y el fino en plomo TO-220 FULLPAK (SiHA25N50E) que ofrece un perfil bajo optimizado para productos de consumo que sean muy delgados.
Los nuevos MOSFET proporcionan una puerta de carga ultra-baja de 57 nC y tiempos de puerta de carga en resistencia bajos, una figure of merit (FOM) clave en los MOSFET empleados en aplicaciones de conversión de potencia.
Así como en los dispositivos Vishay E Series 600 V y 650 V, la baja resistencia interna y la velocidad de cambio optimizada de la tecnología del 500 V puede incrementar la eficiencia y la densidad de potencia en el Power Factor Correction (FPC), conversión directa de dos switches, y aplicaciones de convertidor flyback.
Tiempos para los MOSFET de alto voltaje
Estos nuevos dispositivos ya se encuentran en el mercado en forma de muestras y de producción, con plazos de entrega de entre 16 y 17 semanas.
