Irene Oñate

Memoria LPDDR3 de 2 GB

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Memoria LPDDR3 de 2 GB

Samsung Electronics Co., Ltd., ha comenzado la producción masiva la primera memoria de bajo consumo y doble ratio de datos 3 (LPDDR3) de 2 GB con tecnología de 30 nanómetros para dispositivos móviles de próxima generación.

La compañía ha iniciado el proceso de fabricación de este chip avanzado diez meses después de empezar a producir la primera memoria LPDDR2 de 2GB (octubre de 2011).

La nueva solución, que se encuentra disponible en un encapsulado con cuatro chip LPDDR3 apilados, es ideal para incrementar la velocidad del procesador, displays de alta resolución y gráficos 3D en Tablets y Smartphones.

La memoria puede transferir datos de hasta 160 Mbps por pin, una cifra que aumenta la velocidad en un cincuenta por ciento con respecto a un DRAM LPDDR2. Y, a nivel encapsulado, transite hasta 12.8 Gbps, posibilitando la reproducción de contenido de vídeo ‘full HD’ en tiempo real.

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