Maria Camara

JFET SiC para fuentes de alimentación trifásicas

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JFET SiC para fuentes de alimentación trifásicas

SemiSouth Laboratories, Inc., ha anunciado un nuevo JFET de carburo de silicio de 1700 V / 1400 m? que simplifica el diseño de circuito ‘start up’ en fuentes de alimentación auxiliares trifásicas.

Las soluciones tradicionales o usan un ‘HV bleed resistor’ que ralentiza el arranque con bajas tensiones de línea y provoca pérdidas eléctricas de elevada inactividad, o soluciones basadas en MOSFET que necesitan protección de sobrecarga y pueden sufrir pérdidas en determinadas condiciones, como cortocircuito.

Sin embargo, al usar un JFET de modo ‘depletion’, “los diseñadores pueden lograr un arranque rápido sin utilizar componentes extra”, como afirma Nigel Springett, ingeniero de aplicaciones de SemiSouth. Estos JFET tampoco requieren disipadores de calor.

El SJDT170R1400 se presenta en un SMD D2PAL-7L con baja inductancia para ayudar a simplificar la distribución de PCB y optimizar el rendimiento de conmutación. Este encapsulado de 16 x 10 x 4.4 mm tiene una distancia de ‘creepage’ de 6.85 mm para soportar aplicaciones de 1700 V.

La versión SJDP170R1400, por su parte, se encuentra disponible en un encapsulado TO-247-3L.

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