Maria Camara

IGBT para calentadores por inducción

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IGBT para calentadores por inducción

International Rectifier (IR®) ha introducido un par de Transistores Bipolares de Puerta Aislada (IGBT) muy rápidos y fiables que están optimizados para aplicaciones de calentamiento por inducción y conmutación resonante, como soldadura y rectificación de elevada potencia.

Los nuevos IGBT de 1200 V utilizan tecnología Trench ‘thin-wafer’ de IR para aportar beneficios de rendimiento, como VCE(on) y conmutación ultrarrápida para reducir la disipación de potencia e incrementar la densidad.

Estos transistores se encuentran “co-encapsulados” con un diodo ‘forward-recovery’ de elevado pico de corriente para una operación resonante ‘zero current turn-on’.

Los nuevos modelos complementan la familia IR de IGBT para drive de motor y aplicaciones de ‘hard switching’. De esta forma, la compañía sigue esforzándose por cumplir los requerimientos técnicos de cada vez más sistemas eléctricos.

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