Maria Camara

IGBT de oblea fina de 650 V

Disminuir tamaño de fuente Aumentar tamaño de fuente Texto Imprimir esta página

IGBT de oblea fina de 650 V Infineon Technologies AG ha lanzado la nueva generación TRENCHSTOP 5 de IGBT de oblea delgada que reduce las pérdidas de conducción y conmutación e incrementa la eficiencia en comparación con soluciones simulares.

Con una tensión de 650 V, la nueva tecnología ofrece un mayor margen de seguridad en el diseño para responder a los requerimientos de topologías PFC (AC / DC) y DC / DC de alta tensión, normalmente encontradas en inversores fotovoltaicos, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) y máquinas de soldadura (Inverterised Welding Machines).

Los modelos TRENCHSTOP 5 son la base para dos familias de productos. El HighSpeed 5 (H5) es un IGBT de alta velocidad ‘soft’ y fácil uso que simplifica el reemplazo ‘plug-and play’ de modelos existentes con el mínimo esfuerzo de diseño. El HighSpeed 5 FAST (F5) es uno de los IGBT más eficientes de la industria, con más del 98 por ciento en tareas de medición de un inversor fotovoltaico con una topología “H4 bridge”.

Esta solución de próxima generación en encapsulado TO-220 y TO-247 responde a la demanda de aumento de rendimiento, eficiencia y fiabilidad en diversas plataformas.

Utilice nuestro SERVICIO-AL-LECTOR para contactar con el proveedor

Sobre este producto, me gustaría:



Esta información la solicito como:

Deseo recibir su semanario por email sobre electrónica profesional:

Confirme que es humano con este acertijo:






PROTECCIÓN DE DATOS
Todos los datos personales utilizados para este envío han sido incluidos en un fichero, cuyo responsable del fichero es Nuevas Tecnologías Digitales hoy, S.L., con la finalidad de informarle de nuestros servicios, quedando sometidos a las garantías establecidas en la L.O.P.D. (Ley 15/1999) y Normativa de Desarrollo. Nuevas Tecnologías Digitales hoy, S.L. le informa de la posibilidad de ejercitar, conforme a dicha normativa, los derechos de acceso, rectificación, cancelación y oposición dirigiendo un escrito a la siguiente dirección: calle Marqués de Urquijo, 30 - 28008 Madrid.