Alvaro Llorente

EEPROM con interface I²C

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EEPROM con interface I²C

ROHM Semiconductor introduce una nueva EEPROM de elevada densidad y alta velocidad de la serie BR24, en diversos encapsulados JEDEC, como SO8 y TSSOP8. Este modelo con Bus I²C añade densidades de 512 kbit y 1 Mbit y ofrece la posibilidad de incrementar la velocidad a 1 MHz.

La EEPROM se caracteriza por una estructura de doble celda para eliminar fallos accidentales y un circuito de doble protección para prevenir errores de escritura con el objetivo de responder a las necesidades de un gran número de dispositivos en aplicaciones de consumo, industriales y de automoción.

La reescritura se lleva a cabo mediante el paso de electrones sobre una película de óxido. Esto, sin embargo, causa deterioros en la película y provoca fallos cando los datos de celda de memoria se encuentran en ‘1’ y no se pueden volver a escribir. La nueva estructura previene lo anterior al contar con dos celdas para cada bit de memoria, conectadas en una configuración OR, por lo que la segunda celda puede operar si falla la primera.

El doble circuito de protección consta de un bloque Power ON Reset (POR) que “reinicia” durante el arranque y un LVCC que impide las operaciones de escritura con condiciones de baja tensión.

Los datos se pueden volver a escribir un millón de veces y almacenar durante cuarenta años.

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