Alvaro Llorente

DRAM síncronas CMOS de alta velocidad

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DRAM síncronas CMOS de alta velocidad

Alliance Memory ha ampliado sus líneas de DRAM síncronas (SDRAM) CMOS de alta velocidad de 128 y 256 Mb con nuevos dispositivos en encapsulado TFBGA de 8 x 8 x 1.2 mm 54-ball. Estos modelos se caracterizan por rapidez de acceso de 4.5 a 5 ns y ratios de reloj de 143 MHz.

Estas novedades, que operan desde una fuente de alimentación de +3.3 V (±0.3 V), son idóneas en sanidad, entornos industriales, automoción y telecomunicaciones que requieren elevado ancho de banda de memoria, especialmente ordenadores de alto rendimiento.

Las unidades AS4C8M16S-7BCN y AS4C16M16S-7BCN ofrecen longitudes de burst de lectura y escritura de 1, 2, 4, 8 o full page, con una opción de terminación burst.

Las funciones refresh incluyen “refresco” automático o self-refresh, mientras que un registro de modo programable permite al sistema elegir los modos más adecuados para maximizar el rendimiento.

El catálogo de SDRAM de Alliance Memory incluye dispositivos con densidades de 16, 64, 128, 256 y 512 Mb en encapsulados TSOP II de 54 pines, TFBGA 54-ball, TSOP II de 86 pines y BGA 90-ball.

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