Alvaro Llorente

DRAM síncrona CMOS de alta velocidad

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DRAM síncrona CMOS de alta velocidad

Alliance Memory ha introducido una nueva DRAM síncrona (SDRAM) CMOS de alta velocidad con una baja densidad de 16 Mb en un encapsulado TSOP II plástico de 50 pines. El modelo AS4C1M16S ofrece un tiempo de acceso de reloj de 5.4 ns con un ciclo de 7 ns y un ratio de reloj de 143 MHz.

El dispositivo está optimizado para aplicaciones en sanidad, industria, automoción y telecomunicaciones que requieren elevado ancho de banda de memoria. También es ideal e PC.

Configurada como bancos duales de 512.000 palabras x 16 bit con un interface síncrono, la SDRAM opera desde una fuente de alimentación de +3.3 V (±0.3 V) y es libre de plomo y halógenos.

El AS4C1M16S proporciona longitudes burst de lectura o escritura programables d 1, 2, 4 u 8 páginas, con opción de terminación burst.

Otras características a destacar son precarga automática, función refresh y registrador de modo programable para poder elegir los modos más idóneos para maximizar el rendimiento.

Los IC legacy de Alliance Memory permiten un reemplazo compatible pin-to-pin de un gran número de soluciones similares.

Con la incorporación del AS4C1M16S, la línea de SDRAM de la compañía incluyen densidades de 16, 64, 128 y 256 Mb.

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